瀏覽單個文章
wwchen
Advance Member
 

加入日期: Jan 2003
文章: 357
引用:
作者aya0091
3D封裝跟用TSV方式疊DRAM差在哪邊?
我以為SONY感光元件疊DRAM、手機SOC疊DRAM已經是3D封裝?
https://i.imgur.com/oOYpMbK.png
https://i.imgur.com/aPPIn21.png


依照現行各公司, 包含日本公司發表過的技術報告,
3D 封裝的定義愈趨一致, 主要的是有能力量產的說了就算.

有看到嗎? 邏輯 die + DRAM 上下堆疊是目前 3D IC 的做法.
光是幾層 DRAM 透過 TSV 方式上下堆疊還不是 3D 封裝.

前年吧! GG 發表了世上第一顆 3D IC, 就是那一次, GG 公開放話,
說 DRAM 廠如果不行的話要自己來. 理由就是 DRAM 功耗過大,
把 3D 封裝所做的努力得到的好處全吃光.


A14及LPDDR5的整合扇出型層疊封裝(InFO_PoP)由台積電負責生產。
DRAM die 和 邏輯 die, 各走各的, 透過底下.

這樣說有看懂了吧!
     
      
上傳的圖像
文件類型: jpg mmmmmmmmmmm.jpg (77.2 KB, 489次瀏覽)
文件類型: jpg nnnnnnnnnn.jpg (70.4 KB, 490次瀏覽)
文件類型: jpg bbbbbbbbbbbbb.jpg (237.7 KB, 2次瀏覽)
文件類型: jpg ttttttttttttttttt.jpg (118.2 KB, 1次瀏覽)
舊 2021-04-04, 07:42 AM #141
回應時引用此文章
wwchen離線中