https://www.digitimes.com.tw/col/article.asp?id=136
這有說明DRAM製程目前遇到的問題
術業有專攻，台積電不是神
一般DRAM製程用的材料、特性跟它擅長代工的晶片製程差很大
不是說台積電會做5nm晶片，就代表它來搞1x nm以下製程的DRAM其學習成本會比較低
如果要台積電自己弄個跟3大廠不一樣又不會踩到技術專利的製程，這很不現實

而且DRAM很吃晶圓面積，台積電起碼要再蓋(併購)1座12吋廠才能有效攤提研發、製造成本，公司內部資源分配會是個問題
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https://www.eettaiwan.com/20180517n...-dram-examined/
(美光1x nm DDR4 DRAM裸晶尺寸為58.48mm2，三星同製程下小20%左右)
以一顆三星8Gb要45mm2，一台8GB的電腦要8顆這種晶片
8*45=360mm2
假設現在市面上買到最新的DRAM使用的製程是1z nm，面積可縮小50%
(1z nm能縮小多少我是猜的，不過應該在20~30%左右，這邊就高估用50%)
一台8G電腦光是DRAM記憶體就會吃掉180mm2晶圓面積
INTEL 7代 14 nm 四核心處理器面積125mm2左右
Zen3 CCD晶片 7 nm 8核心32MB快取 處理器面積80mm2左右

這樣對比就能知道DRAM的需求量有多消耗晶圓面積
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最後:
就算台積電要做也不會做一般DRAM，台積電要做的是類似HBM這種可以跟邏輯晶片緊密結合一起封裝的RAM
最後配合自家封裝技術，一條龍吃到晶圓代工、封裝測試市場