近10年來容量夠了，記憶體的技術都在衝「有效頻寬」，除了提高速度以外，還有雙通道∼8通道以上技術。

EDO RAM的最高頻寬264MB/s，8通道DDR4-3200的實測頻寬為134.3GB/s，快了500多倍。

不過看起來也沒很驚人對吧，因為記憶體這玩意兒受限要充電，「真實時脈」的提升，其實也停滯很久了，例如DDR4-3200的實際時脈僅400Mhz，靠I/O 倍率與預取 (Prefetch) 機制才拉高有效頻寬。

DDR5則將Bank（可獨立啟用或進用的儲存單元）和 BL（Burst Length，單一讀寫指令存取的數據量）數量翻倍，且運用 Same Bank Refresh 方式，讓系統在某些儲存區塊運行時可以存取其他區塊，再透過 Decision Feedback Equalization（DFE）電路將低反射雜訊，進而大幅提升運作速率。

當然業界並不滿意，早就在研發MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)這類新記憶體技術了。