引用:
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作者ponpayu
DDR以前就不看了
家用桌機DDR時代單條最大是1G
DDR2時代單條最大是4G，但是不普及，普及的是單條2G
DDR3時代單條最大是16G，一樣不普及，普及的是單條8G
DDR4時代單條最大是32G，目前還不普及，普及的是8G跟16G
以DDR2→DDR3，普及容量多了4倍，DDR4也有機會32G普及
所以我想DDR5單條128G是有機會的...........
但重點還是價錢，若是夠便宜，誰都想插滿補滿...........
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過去的確是如此.
但不能用在十年內的未來. 兩個技術: 2x nm 工藝-->10nm 工藝. TSV 堆疊技術,
至多規劃八層.
依目前單顆 DRAM IC = 1GB 主流. 進展到 10nm 或逼近, 至多單顆能到 4GB.
一條 DIMM 雙面 16顆, 輕鬆到達一條 64GB(指單排). 雙排就是 128GB.
這效應加進 TSV 堆疊封裝技術, 目前有聽到先用 4層.
這樣就是一條 256GB(單排雙面).
比起超大容量, 我比較關心工藝能快點到 10nm, 這樣耗電產熱比較堪用,
堆疊封裝進 CPU, 或 GPU, 對速度進展大.