作者wwchen

末尾那句, 可能會改成 AMD 大量支援. 今天 intel 的官版最新工藝 roadmap 出來了.
確定一路落後.

我也贊成不要屯貨!
未來, 記憶體容量將再一次大跳進.

目前的效應是: 由 20nm 一路到 10nm, die 變小, 所以, 單 die 能到 4GB 輕輕鬆鬆.

未來(也不會太久): TSV 封裝堆疊, 4 dice 到 8 dice, 容量再乘以幾倍.


確定進展會很神速, 因為做 memory 的各廠, 已經被 tsmc 撂下狠話: 說不好好
做的話, 要自己來. 至少, DRAM 10nm 是會拼命且快速達到. 不再稱呼 1x. 1y, 1z nm.