引用:
|
作者askasyou
......
現在又為了消耗過剩產能及撐到DDR 5產品普及以前, 先推出DDR 4 16Gb容量的顆粒
這樣才會出現單條32GB模組, 而小容量DDR 4顆粒就變成利基型產品只留特殊的16bit或32bit產品
顆粒生產主力逐漸轉向8Gb和16Gb, 直到intel大量銷售支援DDR 5的cpu才會改變
|
末尾那句, 可能會改成 AMD 大量支援. 今天 intel 的官版最新工藝 roadmap 出來了.
確定一路落後.
我也贊成不要屯貨!
未來, 記憶體容量將再一次大跳進.
目前的效應是: 由 20nm 一路到 10nm, die 變小, 所以, 單 die 能到 4GB 輕輕鬆鬆.
未來(也不會太久): TSV 封裝堆疊, 4 dice 到 8 dice, 容量再乘以幾倍.
確定進展會很神速, 因為做 memory 的各廠, 已經被 tsmc 撂下狠話: 說不好好
做的話, 要自己來. 至少, DRAM 10nm 是會拼命且快速達到. 不再稱呼 1x. 1y, 1z nm.