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aya0091
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加入日期: Apr 2017
文章: 2,836
引用:
作者NEAL
因為那是指MOSFET閘極寬度,亂標很容易引起爭議。

閘極寬度越小是指在同面積的晶片下可以塞更多電晶體,但不見得電氣特性會更好。

反而縮小後要克服漏電流、寄生電容等議題,克服後才是真正突顯出性能。

因此14nm++會比10nm來得好,這對電子電機領域來說是常識,沒什麼好意外的。

原來如此

也就是說14nm++的MOSFET閘極寬度並沒有變化?

至於亂標元凶三星也沒啥事,台積電也跟上...要說Intel比較老實嗎
 
舊 2019-06-03, 11:29 AM #152
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