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AMD 3900X香爆!!
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aya0091
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加入日期: Apr 2017
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引用:
作者
NEAL
因為那是指MOSFET閘極寬度,亂標很容易引起爭議。
閘極寬度越小是指在同面積的晶片下可以塞更多電晶體,但不見得電氣特性會更好。
反而縮小後要克服漏電流、寄生電容等議題,克服後才是真正突顯出性能。
因此14nm++會比10nm來得好,這對電子電機領域來說是常識,沒什麼好意外的。
原來如此
也就是說14nm++的MOSFET閘極寬度並沒有變化?
至於亂標元凶三星也沒啥事,台積電也跟上...要說Intel比較老實嗎
2019-06-03, 11:29 AM #
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aya0091
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