前幾天的新聞，很多網路媒體都隨便亂抄
https://news.xfastest.com/samsung/6...gb-lpddr4x-ram/
應該是10nm級別(泛指19nm~11nm)才對，而不是講的好像是20nm直接跳10nm量產

目前三星、美光量產記憶體最新技術都是1y nm(約16nm~17nm)
https://technews.tw/2019/03/14/sams...g-lpddr4x-dram/
https://hk.xfastest.com/18451/micro...pddr4x-4266mhz/

這是3年前的文章，裡面有說明記憶體製程微縮遇到的難題
http://www.teema.org.tw/industry-in...px?infoid=20086
以前每次記憶體製程換代，消費端模組容量就double的時光將一去不復返

除非能將類似3D DRAM導入量產，不然短期內還是需要擴廠來應付每年新增的需求
畢竟就算全產線從1x nm升級1y nm也只能增加約20%產量
https://www.eettaiwan.com/news/arti...y-3d-super-dram