引用:
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[恕刪]
以美光為例:
進入10nm世代之後(20nm-->18nm)，製成微縮紅利帶來的位元密度進步幅度遠沒有之前20nm世代(25nm-->20nm)來的明顯
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說得也是!! DRAM畢竟是不同於邏輯電路 , DRAM的運作靠的是電容 , 製程越先進
相同電路構成的電容值就越小 , 逼得不得不增加相同電路來串聯這些單位電容 來達到1bit
的記憶能力 , 所以高階製程的功效提升就有限 , 反而提升製程技術帶來的是反效果!!
除非DRAM的單位電容的基本電路有所改善,在高階製程下能夠保持相同的電容值,功效才得以顯現!!
那Hynix 有可能白高興一場 ?!
