引用:
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作者NEAL
找出差不多寄生電容規格的MOSFET後，你再找找看Vds,max有超過或等於原本那顆，然後Ids,max更大和Rds,on更小的MOSFET，就算是找出更優的MOSFET了。最後你要再確認一下Ids vs. Vgs的I-V Curve，看看特性有沒有比原本更好，通常開關式架構都要運作在三極區，而不是飽和區（好像是廢話，不然就熱爆了吧...），至於Rds,on雖然越小效率越好，但也要注意不要小得太誇張，不然整條高壓迴路上的電阻值變很小，電感性就會浮現了。
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我完全不覺得你有半句廢話，提點應注意事項的絕對不是廢話。
Rds(on)究竟是多小才算太誇張?
Vds(max)應該可以愈大愈好吧? 這一項太大會有甚麼弊處嗎?
這樣看起來，改裝psu要升級 MOSFET應該是最難的。
台灣市面上 MOSFET假貨很猖獗嗎? 要如何避免買到?
假貨、真貨可以從外觀辨別嗎?
光華商場裡的店家賣假貨也不會講的，爆了也很難證明是假貨，沒爆就更不會懷疑了。