其實MOSFET的爆炸是因為裡面的Die瞬間產生高熱，TO-247的塑料封裝頂不住那麼大的熱脹，就直接爆開，因為爆開的同時封裝結構也都破壞了，Die裸露又高熱就會燃燒放出火光，所以雖然整個過程複雜一點，但算是爆炸沒錯。

我之前在設計時做到700V，結果因為買到假貨，繼電器一導通MOSFET就爆了，那聲音是巨響，耳鳴了好久，還好當時我用一個Lock Lock把電路板罩著，所以爆炸碎片都在Lock Lock裡面，爆炸時的火光其實蠻炫的，是藍白光，不過真的心有餘悸。

其實可以簡單算一下，像中高瓦PSU常用的LLC開關MOSFET都大概是600V/19A，Rds,on=0.15歐姆這規格。上下橋瞬間導通短路時，MOSFET是運作在飽和區，所以兩顆MOSFET身上的最大功率有19^2/0.15 = 2406W，如果前面保險絲反應夠快的話就是燒掉冒煙而已，如果沒接保險絲，2.4KW在兩顆MOSFET上消耗，就自然是爆了。

我自己在設計開關式架構時是會注意看Vds,max/ Vgs,th / Ids,max / Rds,on / Cgs / Cgd / Cds / Qg / Qgs /Qgd這幾個參數，剛才Csb應該是我用字不當，source到body diode的等效電容正式用字是Cds才對。

E哥如果想自己玩玩看，可以先查出這顆PSU目前用哪顆MOSFET做Main Switch，找出Datasheet後看一下上述參數，然後在Mouser的網站上設定你要找的參數範圍，其實就我的經驗，寄生電容參數在同一個數量級內都還好，是會偏掉一點點，但不會有危險，所以你說的幾%差距應該是沒什麼問題的。

找出差不多寄生電容規格的MOSFET後，你再找找看Vds,max有超過或等於原本那顆，然後Ids,max更大和Rds,on更小的MOSFET，就算是找出更優的MOSFET了。最後你要再確認一下Ids vs. Vgs的I-V Curve，看看特性有沒有比原本更好，通常開關式架構都要運作在三極區，而不是飽和區（好像是廢話，不然就熱爆了吧...），至於Rds,on雖然越小效率越好，但也要注意不要小得太誇張，不然整條高壓迴路上的電阻值變很小，電感性就會浮現了。

如果有找到滿意規格的話，你就刷卡跟Mouser買來玩玩看，通常10顆的價格蠻有CP值的，Mouser和Digi-Key就是元件對End-User的網購平台，所以是不會有假貨，只是價格都不甜而已，但總比台灣半導體代理商不理End-User好很多了。

我自己在設計時用的MOSFET很偏愛Infineon的方案，他們家的CoolMOS系列的電氣特性都很屌，但是也都超級貴，頂規的一顆好幾百元也有，買一組PSU要用的數量可能都比買一顆海盜船HX750還貴，所以E哥你自己要衡量一下就是了