引用:
|
作者sutl
放太久電壓會飄移，讀取太多次電壓也會跑掉，這時控制器會重新讀寫。
在PE有千次以上壽命的MLC/TLC還看不太出讀取對壽命的影響，但在PE只有150的QLC，讀取導致的重寫現象必須注意  |
由於NAND的cell是串在一起的，所以讀取跟寫入時都會造成隔壁cell的干擾 (disturb)
這種問題在MLC就很嚴重了，尤其是微縮到15/16nm世代之後
TLC目前會比較好是因為TLC改成使用電荷捕捉(charge trap)而不再是使用浮動閘極(Floating gate)
再加上有不少新的讀取、寫入方式來降低干擾的程度
所以用在TLC上面還不是太大問題
但是用在QLC上面就... ...還是大問題
此外，20nm QLC的P/E cycle數可能不到100次... ...