引用:
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作者st202
是Guy Blalock(IM CEO)說的 不如你寄信去問他吧
Zurich, Switzerland - 17 May 2016: For the first time, scientists at IBM (NYSE: IBM) Research have demonstrated reliably storing 3 bits of data per cell using a relatively new memory technology known as phase-change memory (PCM).
相變化記憶體 IBM在今年成功開發TLC
說來IBM自從賣掉硬碟事業 就在開發相變化記憶體
相關專利可能不少
希望3D XPoint能一改英特爾美光在非揮發記憶體的劣勢
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說真的CEO不見得懂那麼深
TSMC不也是一直喊要用EUV(TSMC也真的有EUV)
但是如果你有朋友在TSMC，可以問問看現在10nm用上EUV了沒有。
3D X point
這篇可能有點久了
The die is built on a
20nm node and
consists of two layers, and in the future scaling will happen through both lithography shrinks and by increasing the number of layers.
這邊有提到3D X point memory 製程是 20nm，有2層。
未來會靠著黃光的微縮以及增加層數來提高容量。
以NAND來說，15/16nm製程都還看不到EUV的影子呢
目前多重曝光的技術，走到10nm這個世代還不成問題
再加上EUV也還不夠成熟，所以暫時還看不到有哪個產品哪個世代用上EUV
當然，CEO說的也可能是10nm以下會需要用到EUV
不過這一、兩年應該還看不到就是了。