引用:
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作者hareluya6510
至於層數的堆疊通常不會跟EUV有關，畢竟現在不用EUV也能做到10nm
而且3D X point memory 真的有必要朝著更多層堆疊的路走嗎?
就像前面提到的，若是搭配QLC NAND，或許是不用的
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是Guy Blalock(IM CEO)說的 不如你寄信去問他吧
Zurich, Switzerland - 17 May 2016: For the first time, scientists at IBM (NYSE: IBM) Research have demonstrated reliably storing 3 bits of data per cell using a relatively new memory technology known as phase-change memory (PCM).
相變化記憶體 IBM在今年成功開發TLC
說來IBM自從賣掉硬碟事業 就在開發相變化記憶體
相關專利可能不少
希望3D XPoint能一改英特爾美光在非揮發記憶體的劣勢