引用:
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作者st202
IM(英特爾美光合資公司)的3DXpoint
是新材料的相變化記憶體
硫化玻璃加熱 結晶/非結晶的阻抗不同
2/4層以上和微縮 還得指望EUV
(EUV被產界視為救世主 期待解決眼前的問題)
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其實在3D X point memory 發表的時候，我就問過某位做過ReRAM的朋友
她當時就回答我不會是ReRAM，有90%是PCRAM
當然，她有解釋為什麼她認為不是ReRAM，只是太專業了~聽了我也是狀況外
很多人會猜ReRAM是因為3爽曾經做過研究
3爽說: ReRAM 相比 PCRAM是比較有可能微縮的選擇
至於層數的堆疊通常不會跟EUV有關，畢竟現在不用EUV也能做到10nm
而且3D X point memory 真的有必要朝著更多層堆疊的路走嗎?
就像前面提到的，若是搭配QLC NAND，或許是不用的
目前的3D NAND堆疊的層數越來越多，但是堆疊是不可能無限制疊加
再接下來來往QLC的目標走應該是很明確的
IM這招其實還滿重手的，再加上Intel自家CPU開始支援之後
3爽其實是該感受到危機了!!