作者orakim

雖然幾乎是常識的東西 還是說一下吧
波長越短 折射率就相對越高
即便是半導體用的已經是非常好的透鏡 但還是有像差
因為短波長折射率高 像差被放大，可以說EUV 大概就只有中央部位是正確的曝光

假設原本是3x3 一次曝光可以照出九個chip
換成EUV的話就變成一次曝光一個chip 要重複照九次產能才能跟上
EUV 小量生產或許可以，大量的話 問題可大了

大概三星想把EUV 當作e-beam來用吧 晶片一個個刻 只求有不求產量