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1.
以下文章中提到，28nm之後的製程微縮對於減少SRAM面積(MB/mm^2)沒有想像中那麼理想，且頻率越高製程微縮的效益越差
http://www.monolithic3d.com/blog/th...in-the-world-20
http://www.monolithic3d.com/blog/on...ghlighted-to-us

2.
另外從樓上網友提供的資料可觀察到，三大廠在22/20nm之後的製程微縮，其間距並沒有等比例縮小
最明顯的例子就是TSMC 20nm(90nm*64nm)-->TSMC 16FF(90nm*64nm)-->TSMC 16FF+(80nm*64nm)

兩大廠的獨顯晶片或多或少都有內建L2快取
依照上述兩點:
我想顯卡很難看到類似28^2/16^2 =3.06倍電晶體密度成長率