作者wwchen

Intel 不斷放緩腳步，想靠新系統衝高 DDR4 也放緩。
DRAM 廠可是急得很，庫存+甩開紅潮。

要是我，會把錢投資在新工藝顯卡，新工藝手機，還有那理論壽命高出現行 nand flash 的 3D nand (非 3D xpoint)。

DRAM 的跌勢目前看不到盡頭的模樣。說全年度 40% 還是樂觀了點。

還有 Dram 的技術門檻相對邏輯芯片低很多，要每年一進程 1x, 1y, 1z 終至 10nm, 不困難。
有點難度的是 TSV, 3D 堆疊封裝，估計在 2018年會大為風行。那時紅潮勢力剛起，立刻下猛藥讓對方起不來。

但，目前就是換機無動力，倒貨所致。

16GB 年內<1000，這目標有點高。說模組廠年內發表 32GB 一條 DIMM 還比較有可能發生。一切都是為了消化庫存和墊高門檻。

廠商會幫消費者第一程度著想，別傻了。
能賣出去又賣得多才是它們的第一要務。
速度不在此列。除非，舊貨都賣不了，但還是能用降價達成銷售。