引用:
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作者ExtremeTech
從以前到現在經驗就是這樣算啊
以喜歡拼電晶體密度的AMD來說:
R7 250 77mm² 1050M 28nm
HD5770 178mm² 1040M 40nm
面積差距2.31倍
製程 (40^2)/(28^2) =2.04
實際維縮幅度還更大
......
所以我才懷疑三星的製程14nm是"虛標"
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1.
以下文章中提到，28nm之後的製程微縮對於減少SRAM面積(MB/mm^2)沒有想像中那麼理想，且頻率越高製程微縮的效益越差
http://www.monolithic3d.com/blog/th...in-the-world-20
http://www.monolithic3d.com/blog/on...ghlighted-to-us
2.
另外從樓上網友提供的資料可觀察到，三大廠在22/20nm之後的製程微縮，其間距並沒有等比例縮小
最明顯的例子就是TSMC 20nm(90nm*64nm)-->TSMC 16FF(90nm*64nm)-->TSMC 16FF+(80nm*64nm)
兩大廠的獨顯晶片或多或少都有內建L2快取
依照上述兩點:
我想顯卡很難看到類似28^2/16^2 =3.06倍電晶體密度成長率