引用:
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作者Stonehendge
Latency還是會比內部的cache高很多啦,畢竟是SRAM比DRAM 
PC上的application大部份都是latency bounded而不是bandwidth bounded
不過對embedded graphics幫助應該很大
intel這代都作到72EU(768sp)了,下一代如果能到150EU以上的話
那玩中階game都不是問題
個人是樂觀其成  
這類的stack memory就PC要朝小型化/SOC化發展的關鍵
PC產業要停止衰退,就要玩一些不一樣的
intel已經在Xeon-D上先把chipset包進去(沒在同一個die上,但至少是在同個substrate package上)
猜想以後去電腦商場要組電腦再也不是先挑CPU+MB+RAM
而是直接選個內含SOC的板子,size可能比現在ITX還小
簡單解決方便多了 |
L1&L2跟核心同步 但L3還是有延遲的
再說L3能作多大？ 8M?16M?25M? 足夠嗎？
事實上 intel也在開發寬頻記憶體
http://www.anandtech.com/show/9794/...modes-from-sc15
寬頻記憶體有三種模式 快取模式／獨立模式／混合模式
Each of these high-bandwidth controllers link out to a the on-package MCDRAM (we believe stacked 20nm Micron Planar DRAM) through an on-package interposer, offering 400+ GB/s of bandwidth when all the memory is used in parallel.
MCDRAM 8顆 16GB 頻寬400+GB/s
anandtech猜測是美光製平面堆疊記憶體
平面堆疊是對的 intel之前開發「Embedded Multi-die Interconnect Bridge」就是平面堆疊
但是也可能是用舊設備自己生產(轉進14nm後 使用舊的22nm生產)
除非有其他供應商也加入 否則不能排除自己生產
平面堆疊相較於立體堆疊(TSV)優缺點很明顯
不用TSV 製造易成本低 但是面積大 性能也只有1/5
(MCDRAM一顆頻寬50GB/s HBM2一顆頻寬256GB/s)
未來MCDRAM走入消費層級
8顆 16GB 頻寬400+GB/s 或是砍半4/8/200 亦或增加
都足夠取代eDRAM(頻寬約100GB/s)＋DDR3/4