瀏覽單個文章
hareluya6510
Major Member
 

加入日期: Jan 2007
文章: 248
引用:
作者xmx
今天有看到篇新聞~

HP、SanDisk 新技術,稱比 NAND 快 1 千倍 (http://technews.tw/2015/10/12/hp-sandisk-reram/)

(HP)也宣布和 SanDisk 合作研發「可變電阻式記憶體」(ReRAM)科技。新技術可取代 DRAM,速度並是 NAND Flash 的 1 千倍。

不曉得這和 3D XPoint 有什麼差別呢?孰優孰劣?


有一說 3D X point memory 也是 ReRAM
不過更多人相信是 PCRAM

ReRAM 跟 3D X point memory 最大的區別可能會是容量

3星有打算做3D ReRAM,但是後續都沒看到消息
至於取代DRAM,我想以DRAM的速度與特性,應該有點難度
目前我認為最有機會的可能是Intel的 DRAM + 3D X point Memory
畢竟CPU是intel研發的,他說我主推、只支援 DRAM + 3D X point Memory
你拿intel一點皮條也沒有呀。
舊 2015-10-13, 04:45 PM #78
回應時引用此文章
hareluya6510離線中