明年三星製造的HBM顆粒就會大爆發了

三星在IDF 2015大會上宣佈，將從2016年開始供應自己的HBM VRAM顆粒，同時出擊顯卡市場和HPC高性能計算市場。

作為擁有雄厚實力的半導體企業，三星自然出手不凡，準備了多種HBM規格，均以8Gb(1GB)容量的顆粒為基礎，堆疊封裝有2-Hi、4-Hi、8-Hi三種選擇，HBM晶片則可選單顆、兩顆、四顆、六顆。

比如，最基礎的2-Hi單顆晶片，容量為2GB，頻寬為256GB/s，也可以做到8GB。
消費級顯卡最高搭配2-Hi堆疊、兩顆晶片，容量8GB，頻寬512GB/s，正好可以滿足GPU的需求。

HPC的就高多了，六顆晶片的時候容量12、24、48GB/s，頻寬高達恐怖的1.5TB/s。
HBM VRAM的頻寬取決於晶片數量，或者更確切地說取決於邏輯控制單元的規模，而與堆疊層數無關，至少目前的設計如此。

2017年，三星還會推出更加密集的8-Hi堆疊，可以更少的晶片達到更大的容量和頻寬，並進入網路設備市場。