美國半導體巨擘英特爾（intel）與美光（Micron）發表劃時代的全新記憶晶片技術3D XPoint，儲存容量是DRAM的10倍，速度較NAND快閃記憶體快1000倍

兩家公司發明了獨特的複合材料與十字交叉架構，摒棄了40年來積體電路技術倚重的電晶體，使新記憶體技術的密度，較DRAM（動態隨機存取記憶體）高了10倍。

.....美光在美國猶他州的工廠明年量產。

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