矽做到太小會產生量子穿隧效應, 逐漸讓半導體變成導體, 可以想像成是漏電. 需要換其它基材才能解決.

材料方向則是選擇電子移動率高的材料, 以及配合的相關結構

每家有不同的想法, 目前到10nm/7nm較清楚, 大多用Si/Ge FinFET

大家在5nm, 3nm 就很不一樣.