http://www.expreview.com/40115.html

Intel前幾天慶祝了半導體業界黃金法則——摩爾定律，通過更先進的工藝不斷提升晶體管密度是Intel制勝的關鍵，他們也以此維護了摩爾定律的準確。如今Intel的製造工藝已經是14nm，下一步就是10nm工藝，面臨的挑戰還會更多，Intel實際上也延期了10nm工藝進程，但Intel手中的黑科技可不少，分析認為Intel將在10nm工藝節點啟用量子阱晶體管（Quantum Well FET，簡稱QWFET），還會使用銦鎵砷及應變鍺兩種新型半導體材料。

http://www.realworldtech.com/intel-10nm-qwfet/

分析師David Kanter認為Intel有很大可能會在10nm工藝啟用QWFEN量子阱晶體管工藝，同時還會使用新型的半導體材料，N型使用銦鎵砷（In0.53Ga0.47As），P型使用應變鍺（strained germanium）

按照他的分析，Intel最早會在2016年的10nm工藝上使用這些黑科技，將晶體管運行電壓從0.7V降低到0.5V，而三星、TSMC、Globalfoundries等公司要等到7nm工藝才有可能使用這些新技術，依然要比Intel落後一代。


不是要潑冷水，intel已經在開發7nm的製程了