http://news.mydrivers.com/1/381/381375.htm

動態隨機存取內存(DRAM)是常見的內存組件。在處理器相關運作中，DRAM經常被用來當作數據與程序的主要暫存空間。相對於硬盤或是閃存(Flash Memory)，DRAM具有訪問速度快、體積小、密度高等綜合優點，因此廣泛的使用在各式各樣現代的科技產品中，例如計算機、手機、游戲機、影音播放器等等。

自1970年英特爾(Intel)發表最早的商用DRAM芯片－Intel 1103開始，隨著半導體技術的進步與科技產品的演進，DRAM標准也從異步的DIP、EDO DRAM、同步的SDRM(Synchronous DRAM)、進展到上下緣皆可觸發的DDR DRAM(Double-Data Rate DRAM)。

每一代新的標准，目的不外乎是針對前一代做以下的改進：單位面積可容納更多的內存、數據傳輸的速度更快、以及更少的耗電量。更小、更快、更省電，是半導體產業永不停息的追求目標，當然DRAM也不例外。

固態技術協會(JEDEC)於2012年9月正式公佈最新的DDR DRAM標准，DDR4(第四代DDR DRAM)。距上一代DDR DRAM，也就是DDR3的發表，已有5年之久。

對於產品日新月異，瞬息萬變的科技業而言，5年是非常久的時間。2007年6月第一代iPhone問世，同年DRAM產業宣佈DDR3時代來臨；到了2012年，iPhone都已經推進到iPhone5了，DRAM才正式進入DDR4，相比之下DRAM的進步不得不說相當緩慢。
隨著移動設備的盛行，個人計算機市場逐漸式微，加上缺乏可以刺激消費者積極更新設備的應用程序，這些因素都降低了大眾對新一代DRAM標准的渴望。

即使新標准看起來有更多優點，但無法激起消費者的購買慾望，就沒有市場，新一代DRAM的需求若不顯著，DRAM廠對於投入資金研發新技術的意願就顯得意興闌珊，新標准的制定也就不那麼急迫了。

DDR4内存能引领新革命吗？难！
DDR4 PK DDR3
即使緩步前進，DDR4終究還是來到大家的面前。新的標准必定帶來新的氣象，讓我們來看看DDR4與DDR3有什麼不同之處：
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DDR4標准與DDR3標准簡單對照表

儲存容量：
單一的DDR4芯片擁有比DDR3多一倍的儲存空間，而每個DDR4模塊(module)最多可搭載8個DDR4芯片，比DDR3多一倍。也就是說，DDR4模塊的最大容量比DDR3多4倍。主板上相同的位置，DDR4可容納更大的內存容量。換個角度來說，在容量需求不變的情況下，DDR4所需的空間比DDR3要小。

傳輸速度：

DDR3的傳輸速度從800MHz(MHz=每秒百萬次)到2133MHz不等；DDR4的傳輸速度從2133MHz起跳，目前的規格定義到3200MHz，將來可望達到4266MHz。
耗電量：

省電是DDR4最明顯的改進之處。DDR3所需的標准電源供應是1.5V(伏特，電壓單位)，而DDR4降至1.2V，專門為移動設備設計的低功耗DDR4(LPDDR4)更降至1.1V。
除了降低工作電壓，DDR4支持深度省電模式(Deep Power Down Mode)，在暫時不需要用到內存的時候可進入休眠狀態，無須更新內存(Refresh)，可進一步減少待機時功率的消耗。

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DDR4 vs. DDR3的標准化能量消耗

除了上述的三個主要部份外，DDR4還支持命令/地址總線上的同位核對(parity check)，以及在數據寫入時，數據總線上支持循環冗餘檢驗(CRC)等功能，以自動偵錯的方式來避免因訊號幹擾而導致不正確的命令或數據被寫入內存，增加高速傳輸時數據的完整性。