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三星決定不搶攻 20nm，選擇直接攻取 14nm 製程與蘋果下一代的處理器晶片 A9。
現階段14nm 的成熟度、進度已經不錯，領先台積電的 16nm 進度

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台积电16奈米FinFET制程研发将会落后，转向投产三星的14奈米FinFET，三星预计明年上半年量产，原较台积电为早

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Intel 14nm的柵極間距為70nm，內部互聯最小間距為52nm，這兩項指標分別比22nm縮小了22％、35％。相比之下，台積電16nm、三星/GF 14nm的柵極間距分別是90nm、78nm，前者只相當於Intel 22nm的水平，後者也略弱一些，而內部互聯最小間距則都是64nm，相比於Intel大了23％

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