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採用3D垂直設計、突破縮放比例限制Samsung將量產V-NAND快閃記憶體
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hareluya6510
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加入日期: Jan 2007
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巴豆妖
這樣不 gy 啊…
這樣算 gy 的話
那 nor 不就 gy 到靠北
通常nor都糾結在最後endurance的部份
倒是NAND常常還沒到endurance的階段就被刷掉了
就算是good die, 也很容易因為cycle時產生太多的BB而不能用
我想nor跟NAND GY的點是不一樣的
做3D NAND又比現在的NAND更GY了一點
真要做出來不知道要搞瘋多少工程師呢
2013-08-08, 08:54 AM #
27
hareluya6510
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