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採用3D垂直設計、突破縮放比例限制Samsung將量產V-NAND快閃記憶體
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hareluya6510
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加入日期: Jan 2007
文章: 248
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作者
carbocation2014
你要扯就繼續扯下去吧...
反正爭贏沒獎品,反正我盡力說明3d mos,3d ct flash跟3d ic了
你要繼續把這東西當3d ic就隨你吧
3D IC 跟 3D NAND本來就不是同一件事
你可以用Vertical gate 3D NAND 或是 Vertical channel 3D NAND當關鍵字去找一下
基本上我講的就是現在3D NAND的定義, 這有什麼好扯的?
我只是如實的敘述一件事罷了
2013-08-07, 01:19 PM #
20
hareluya6510
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