主題: 採用3D垂直設計、突破縮放比例限制Samsung將量產V-NAND快閃記憶體
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無愛無恨
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加入日期: Mar 2010
文章: 157
還在想說哪家封測廠這麼厲害, 可以做24層TSV
舊 2013-08-06, 06:06 PM #8
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無愛無恨離線中