作者Elros

採用3D垂直設計、突破縮放比例限制Samsung將量產V-NAND快閃記憶體
文: Jack Choi / 新聞中心
文章索引：記憶體 Samsung IT 要聞

為針對嵌入式 NAND 存儲和固態硬碟應用市場，並加速 NANA Flash 快閃記憶體技術發展， Samsung Electronics 6 日於其官方網站中宣佈目前已正式量產採用 3D 垂直設計的 V-NAND 快閃記憶體，採用垂直單元結構，能夠突破目前 NAND Flash 快閃記憶體技術的縮放比例限制，提升性能和面積比的計率，而且也可提升可靠性表現。

據 Samsung Electronics 表示，過去 40 年來， Samsung Electronics 一直專注研發傳統平面結構的快閃記憶體。由於製造工藝技術進入 10nm 製程，其比例限制變得更大，加上可靠性也會受到影響並提升開發成本和時間，因此 Samsung 早前研究利用 3D 垂直設計技術生產 V-NAND 快閃記憶體。

新推出的 V-NAND 利用基於 3D 電荷捕獲型 NANA Flash(CTF) 技術...