如採用浸潤式光蝕技術，可以將193nm波長縮短到134nm， 加上兩次曝光技術，大約以每曝光一次可得解析度的波長1/3推算，大約是14nm左右；不過這大概也是光學極限，之後有些研究換光源方式(如EUV)作為新的顯影辦法；也有研究三次曝光技術的廠商；但有一些廠商認為可以用浸潤式193nm光蝕技術加上兩次曝光技術可以延伸至10nm。各廠都在努力研發。