感謝~原來還有這種特性
Google了一下，找到相關的中文說明~
NAND Flash有Read Disturb(讀取擾動)的效應。
從一個NAND Flash陣列電路圖可看出，即便只有讀取某一個Page，
在跟該讀取Page處於同一條Vdd電壓連接的相鄰Page都會被干擾到，
估計MLC累積100K次相鄰讀取，或SLC累積1KK次相鄰讀取之後，
會開始產生無法ECC修正的錯誤。
出處：
http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n...wsPage=2&Page=1
引用:
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作者電腦狂想曲
基本上簡單來說，一般的正常使用不惡操下4年內要用到上限其實
蠻困難的~所以不用太擔心這個問題!!
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看了一下美光的技術文件，不知道在下的翻譯有無誤解，
該效應似乎只會造成資料錯誤，不會造成Flash的永久損壞，
如果真是這樣，那就更不用擔心了~
Read Disturb: A read disturb error occurs when one or more bits are
changed during a READ operation. Read disturb errors occur within the
block being read, but on a page or pages other than the page being read.
Performing a high number (hundreds of thou-sands or millions) of READ
operations on individual pages before an ERASE command for the block
containing those pages can exacerbate this error.To recover from this type
of error, erase the block where the error occurred and repro-gram the data
to that block.
出處：
http://download.micron.com/pdf/tech...nand/tn2917.pdf