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Sioux
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加入日期: Dec 2005
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  各廠的製程/電晶體數量/架構不同,根本就不需有什麼一致標準,實測表面溫度多少就是多少,什麼核心溫度定高定低,連i社都叫大家看表面溫度了.

  A社文件連每一階時脈是多少TDP多少電流都實測列出,怎麼會說室溫或散熱片溫度沒寫,前者一點都不重要,因為殼內溫度一定又比殼外室溫高出幾度,直接標出散熱片開始的溫度就好啦,原廠文件第23頁:

http://support.amd.com/us/Processor_TechDocs/43375.pdf

  A社分為兩組,散熱片由殼內溫度38及42開始,前者後者不管是大殼小殼或殼扇多寡的區分都無所謂,HS78從散熱片38度起:

  125W x 熱阻0.19度C/W = 升溫 23.75度

  加上殼內溫度(也就是散熱片開始溫度)38,正是溫限62.



  21頁的HS55由散熱片42度起:

  65W x 熱阻0.43度C/W = 升溫 27.95度

  加上殼內溫度(也就是散熱片開始溫度)42,正是溫限70.



  原廠文件要多看,不要再說什麼TDP迷思只能參考,熱力學整個宇宙都一樣.
 
 
 
舊 2012-11-16, 04:16 PM #17
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