作者電子時報

ZDNET網站報導，英特爾(Intel)在12日舉行的開發者論壇(IDF)上表示，其研究團隊相信已找到10奈米晶片製造方法，未來可藉此生產耗電更少且效能更高的晶片。

英特爾科技製造事業群的製程主任Mark Bohr表示，14奈米技術現已進入完全開發階段，準備在2013年底進入量產，目前正在進行10奈米製程研究，且看來已經找出了生產方法。他表示，10奈米製程可能需要仰賴眾多實驗性的技術，包括光子、石墨烯、材料合成與極紫外光(EUV) 等。他還指出，雖然採用極紫外光技術會比較好，但成本要比採用浸潤式微影技術」(Immersion Lithography) 高出許多，且目前在10奈米製程應用極紫外光技術碰到困難。

英特爾現準備用22奈米製程生產Ivy Bridge和Haswell晶片，之後計會在2013年稍晚或2014年初轉至14奈米。

Mark Bohr表示，製程開發需要龐大投資，不故也能帶來可觀的經濟效益。晶片製程決定電晶體可植入的密度與耗電，愈小的製程可產出效能愈高、越省電的晶片。英特爾的研究團對現在也甚至在尋找7奈米和5奈米製程的解決方案，不過恐怕還要等上相當長的時間，因為10奈米預計要到2015年才會用於量產。

英特爾的對手ARM將晶片專利授權出去，目前主要由三星、台積電和GlobalFoundries生產，超微(AMD)則是與GlobalFoundries合作。英特爾在製程技術上領先3年，且看來還會繼續保持領先優勢。