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加入日期: Jan 2002
您的住址: 台北苦命IT工人
文章: 586
Smile

引用:
作者浮出水面
我可沒教你自我抹黑,不過你的表現的確很丟IT人的臉

Nand Flash 的 浮閘 的 氧化物穿遂層 會隨著寫入次數增加而開始老化

也就是變會的越來越不穩定,使得主控需花費更多的延遲時間去處理ECC(隨機性能降低)或打入壞區,甚至開始漏電而無法長久保存資料

不管你的SSD有多大的DRAM當快取都無法避免此一老化過程,身為IT人的你不可能不知道這基本常識

但你從頭到尾抱定決心死抓Jmicro不放,卻閉口不談這基本常識

除了你懷有特定意圖我還真不知你安的是甚麼心,但就算你騙得了別人也騙不了你自己

不過隨便啦,樓主要是真有定見早就做了也不必上來尋求認同,他們愛怎麼糟蹋他們的SSD(你則是明明知道卻故意裝傻站在旁邊看笑話其心態更是惡劣)又與我何干
唉呦,是是是,我再丟IT的人的臉喔,又幫我戴上大帽子叫我吞下去。
但你的基本常識就完全正確了嗎

其一
不管flash page有沒有問題,或是用過幾次,ECC讀取跟寫入時都是會做的,不然多出來的spare是多心酸的嗎?
控制器覺得這段區域不穩了?才開啟ECC功能

ECC是由硬體功能實現,並不會多吃資源
這點是如同記憶體的ECC功能一樣,記憶體控制器會有專門的電路來處理。

ECC會降低隨機的性能有其他佐證背書,還是單純是你的想像?

其二
壞區管理可以JMF602寫入性能降到2MB/s 4 IOPS的地步?
娜是不是應該稱讚JMF602超級強大,壞區到這種地步還可以運作。

不只壞區管理,Wear-Leveling的動作本身也會降低寫入性能。
這可能是JMF602的Wear-Leveling存在著一定問題,而你只會推到老化頭上。

最後一點最好笑,舉例你幫我戴的兩頂帽子
『頭到尾抱定決心死抓Jmicro不放』<==我本來就是在講Jmicro主控性能有問題阿 ="= 難不成要多拉個 SF 來模糊焦點?
『除了你懷有特定意圖我還真不知你安的是甚麼心,但就算你騙得了別人也騙不了你自己』<==所以我跟你認真討論Jmicro,你沒做功課就搬出我不安好心的大絕喔,我一開始也沒回你,是你自己要跳下來討論得好嗎?
舊 2012-09-02, 01:38 PM #60
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