引用:
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作者commando001
1.名稱真的並不是很重要，之後我都修正用PAGE也可以
2.1個BLOCK中的PAGE數並不重要，難道100/1000與10/100會有差異?
今天我所說的不是真實情況，應該沒人在初等材料力學就拿金門大橋來研究其受力變化吧?
這裡也不是要寫啥研究論文，就只是簡單討論控制器的GC而已
就算是寫論文都可能會盡量簡化模型來討論
3.要不要發動GC大家都知道，那次發動的GC是不是過度GC?
這時候我們就要回到過度GC是啥?
有人知道其定義嗎?Million先生知道嗎?
個人希望可以看到一個公認的標準，不是個人的見解
Million先生不斷的提出MARVELL控制器會過度GC，那總該知道吧?
情況1做GC算過度GC嗎?
情況2做GC算過度GC嗎?
情況3做GC算過度GC嗎?
再來還有就是
情況1 MARVELL/SF的控制器會做GC嗎?
情況2 MARVELL/SF的控制器會做GC嗎?
情況3 MARVELL/SF的控制器會做GC嗎?
如果覺得條件不夠充分，...
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SSD說的GC我猜想是從記憶體的概念沿用過來的
但記憶體其實比較單純，雖然他也有Memory Hole
但處理記憶體的問題對他壽命本身一點影響都沒有
Flash顆粒就麻煩很多
GC用的Policy是Firmware撰寫時決定的，當時怎麼寫其實看工程師怎麼決定
假如他對Flash的edurance有信心，越積極的GC對使用者來說效能助益越大
Plextor跟Liteon的SSD的GC，依照測試來看他的GC是很積極
這也是他無法使用edurance低的顆粒的原因之一
對使用者來說也許沒什麼關係，對廠商來說變相的削弱了競爭力
要說有沒有過渡GC消費者實在沒辦法判定，反正保固內廠商得要承擔
如果你不是專門跑Benchmark，只是普通的系統碟用途
小量而零散的寫入，3000或5000 P/E的顆粒我覺得不需要擔心
SF的眾多特色都是在顆粒耐用度上校調，也可以依照edurance做限速度
換句換說你用品質差的顆粒填入低的edurance參數時
SF對寫入的控制跟降速就會多很多，SF當時的賣點就是即使用edurance低的顆粒
主控積極限速的狀態下，顆粒多半還是可以撐過保固期限
他有成套的solution，切入消費市場難度很低，自然很快成為市場大宗
同時他也有一些企業方案，看來很完整不過似乎沒原本順利
例如Intel的SSD 720，目前就無聲無息的消失了
原本的SSD 910最後也還是套了Hitachi+IBM很早就提出的方案
只是後端在用很多組Array拼起來而已