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浮出水面
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加入日期: Jan 2008
文章: 508
引用:
作者vn514026
IMFT 20nm NAND Flash還有3000 times P/E ,Marvell也有方案搞定;甚至台灣的Jmicron, Phison都有方案,當然隨著製程濃縮 P/E 未來還是會逐步減少,但SSD controller的糾錯能力也會越來越強...

我是說目前量產的F3顆粒只有1500次,雖然Intel承諾會改良到3000次,但那應該是明年的事了吧?

而且講白了Intel只不過是把好的顆粒篩選出來給自家SSD用,並不是它做的Flash特別耐用
舊 2012-07-18, 11:04 PM #100
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