引用:
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作者oScARSh
真的是這樣子的話到最後磁區對應physycal的cell位置不是會很亂嗎? 
可能sequence reading/writing的效能會降低吧 |
NAND一次抹寫可以高達512K，
但不一定每次都剛好有那麼大的空間可以抹除吧？
所以SSD其內部的資料，本來就會隨著wear leveling到處搬家，
對SSD而言，有沒有分割其實差異不大，但在筆電上我會為了保留還原磁區，作分割就是了。
不過也有可能經由
HPA的手法，
進行效能提昇，但不一定所有的SSD其韌體皆有效果。