消息來源 (
http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n...DTW540V2TL&ct=1)
英國倫敦大學學院(University College London；UCL)的研究員已開發出可在一般環境條件下運作，且純粹以氧化矽為材料的電阻式記憶體(Resistive RAM)。
根據EETimes和BBC等網站報導，電阻式記憶體通常使用氧化金屬為材料，當外來電壓通過時，其電阻即產生改變，即使關閉電流後，也會「記憶」這些改變。
憶阻器(memristor)的電子特性，適合應用到電腦運算，和更快、密度更高的記憶體。第1個憶阻器原型於2008年問世，距其理論初次提出已37年。研究人員表示，電阻式記憶體的儲存能力遠大於現用的快閃記憶體，所需電力及空間也非常小。
目前開發中的其他電阻式記憶體，大都需要昂貴或稀有物質，且必須在真空環境內運作，UCL的晶片可在一般環境內運作，因此可能更便宜、更耐用，或發展為觸控...