引用:
|
作者Xforce
http://www.anandtech.com/show/5763/undervolting-and-overclocking-on-ivy-bridge
結論, Ivy Bridge 對 1.1v 以上的電壓比較敏感...
另一方面是面積相對於Sandy Bridge 小, 單位面積平均瓦數也較高.
|
脫掉鐵殼直接接觸散熱器
不是證明了，跟DIE的大小無關
另外IVY跟Sandy一樣都是CPU與GPU融合架構
(因應AMD把CPU性能的焦點轉移到IGP這塊...)
GPU配置又是Sandy的2倍... CPU省下的空間都拿去給GPU
高溫會不會是GPU造成的? 畢竟Sandy時代開始就無法手動關閉GPU Core
至於是不是3D Gate造成的問題，這要等純CPU Core的Ivy-E上市才能知道真相
就我所知3D Gate帶來的困難度不在半導體的前製程而是後製程... 比較難封裝
所以問題應該不在晶體而是封裝過程使用的銅製程，抑制了超頻性
溫度高不代表不好超，90nm的P4除了溫度問題外拉時脈也蠻輕鬆的