關於Ivy Bridge在超頻時溫度大大高於Sandy Bridge這一點早已被證實。關於具體原因此前分析大概有兩種
說法，一種是Ivy Bridge製程升級導致核心面積變小後和頂蓋接觸面積變小，能量/面積的密度提高；另外一
種說法直接把矛頭指向Intel 22nm FinFET /tri-gate技術。 Overclockers網站分析認為，後一種說法
缺乏有說服力的依據，前一種說法看似合理，但不至於導致超頻時Ivy Bridge溫度比Sandy Bridge高出20
度之多。那麼具體原因究竟為何？自己動手才有真相，根據拆解結果Overclockers分析出了相對合理的原
因。
IVY
http://i.imgur.com/FEDEf.jpg
從上圖看來，Intel在核心與頂蓋直接使用了傳統的矽脂，而不是Sandy Bridge上的無釬焊工藝。查閱工程資
料可得知，使用無釬焊時的導熱率大約是普通矽脂的15-16倍以上。而Intel在Ivy Bridge上的這一改變使得
頂蓋直接成為了熱量集中地而...