關於Ivy Bridge在超頻時溫度大大高於Sandy Bridge這一點早已被證實。關於具體原因此前分析大概有兩種

說法，一種是Ivy Bridge製程升級導致核心面積變小後和頂蓋接觸面積變小，能量/面積的密度提高；另外一

種說法直接把矛頭指向Intel 22nm FinFET /tri-gate技術。 Overclockers網站分析認為，後一種說法

缺乏有說服力的依據，前一種說法看似合理，但不至於導致超頻時Ivy Bridge溫度比Sandy Bridge高出20

度之多。那麼具體原因究竟為何？自己動手才有真相，根據拆解結果Overclockers分析出了相對合理的原

因。

IVY


從上圖看來，Intel在核心與頂蓋直接使用了傳統的矽脂，而不是Sandy Bridge上的無釬焊工藝。查閱工程資

料可得知，使用無釬焊時的導熱率大約是普通矽脂的15-16倍以上。而Intel在Ivy Bridge上的這一改變使得

頂蓋直接成為了熱量集中地而不是原本散熱的功效，甚至不如CPU核心直接通過矽脂接觸散熱器：前者為CPU核

心—矽脂—頂蓋—矽脂—散熱器，後者為CPU核心—矽脂—散熱器，除矽脂外均為金屬導熱速率很快，頂蓋上下均覆

蓋矽脂反而使其成為了累贅。這也解釋了為何Ivy Bridge在液氮等極限超頻情況下並不弱的現象。

那麼Intel為何又改為在核心使用矽脂，採用的又是那種矽脂呢？ Overclockers就此詢問了Intel，發言人

回复很有禮貌又簡潔還不出所料——“秘密配方”。雖然Intel不肯透露矽脂成為，不過從顏色上看起來它和散熱

器中搭配的普通產品並無差別，顏色也不如很多含銀產品深。

實際上Intel已經不是第一次這樣改動，Overclockers稱E6XXX和E4XXX系列處理器也同樣如此，前者採用的

是無釬焊工藝連接核心與頂蓋，後者同樣為矽脂。總之很難解釋為何Intel做出這種決定，普通產品倒無所謂

，帶K的超頻專用型號起碼不應該出現這種問題吧？

32nm
SNB


45nm
你好爛



典型的偷料


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