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parssi
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加入日期: Jun 2008
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作者everspiral
三星跟海利士要攻20nm CMOS


http://it.oc.com.tw/images/1101/201...05649554362.jpg


目前三星已經使用23nm CMOS製作出DDR4樣品,JEDEC規範標準電壓1.2V,
但三星只要1.0V就能運作,海利士30nm CMOS仍需要1.14V,記憶體雙雄都可以比標準還低
(表示DDR4標2133但可以超頻至2400)預計2013年導入市場

http://memory.it168.com/a2012/0224/...001315997.shtml


星新一代LPDDR3最快12.8GBps... 相當於DDR3-1600的速度

http://mobile.dbw.cn/system/2012/02/24/053710557.shtml


看來 沒必要跟人起舞 買DDR3的RAM
目標是2013年 把自己的工作机 砍掉重練
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空谈误国 实干兴邦

謹養而勿勞,併氣積力,運兵計謀,為不可測。

Carefully study the well-being of your men,and do not overtax them.
Concentrate your continually on the move and devise unfathomable plans.

從1999年時的帳號 再次重生

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繁體版《原始點醫學》(2019年12月第十六版)

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http://cch-foundation.org/

願各位板友都能身体健康!
舊 2012-02-29, 01:14 AM #8
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