三星跟海利士要攻20nm CMOS





目前三星已經使用23nm CMOS製作出DDR4樣品，JEDEC規範標準電壓1.2V，
但三星只要1.0V就能運作，海利士30nm CMOS仍需要1.14V，記憶體雙雄都可以比標準還低
(表示DDR4標2133但可以超頻至2400)預計2013年導入市場

http://memory.it168.com/a2012/0224/...001315997.shtml


星新一代LPDDR3最快12.8GBps... 相當於DDR3-1600的速度

http://mobile.dbw.cn/system/2012/02/24/053710557.shtml