自問自答:

http://webgo.tw/html/html/42/t-1042.html

(USB 隨身碟正確使用方式)

很多人會說：「10萬次以上的讀寫壽命，足以撐到買新的都還不會壞。」

這句話聽起來似乎還蠻有道理的，但如果真的重要資料在裡內，就那麼不小心那麼剛好要用時就壞了，那誰要來負責？？
這就如同架網站一樣的道理，網站壞了，沒關係頂多重新安裝；
但資料庫損壞了的話，重裝？？要去哪裡生資料出來？？
再花十倍的時間也不見得救的回。

USB 隨身碟(或記憶卡)為什麼都建議不要時常刪資料，而用 Format(格式化)的方式清除？
就是為了儘量減少它的讀寫次數。


首先要瞭解 Flash Memory 的刪除與儲存方式是：

1.區塊抹除

快閃記憶體的一種限制在於即使它可以單一位元組的方式讀或寫入，但是抹除一定是一整個區塊。
一般來說都是設定某一區中的所有位元為「1」，剛開始區塊內的所有部份都可以寫入，
然而當有任何一個位元被設為「0」時，就只能藉由清除整個區塊來回復「1」的狀態。
換句話說快閃記憶體(特別是NOR Flash)能提供隨機讀取與寫入操作，卻無法提供任意的隨機覆寫。
不過其上的區塊可以寫入與既存的「0」值一樣長的訊息(新值的0位元是舊值的0位元的超集合)。
例如：有一小區塊的值已抹除為1111，然後寫入1110的訊息。接下來這個區塊還可以依序寫入1010、0010，
最後則是0000。可是實做上少有演算法可以從這種連續寫入相容性得到好處，一般來說還是整塊抹除再重寫。
儘管快閃記憶體的資料結構不能完全以一般的方式做更新，但這允許它以「標記為不可用」的方式刪除訊息。
這種技巧在每單元儲存大於1位元資料的MLC裝置中必須稍微做點修改。

2.記憶保存

另一項快閃記憶體的限制是它有抹寫循環的次數限制(大多商業性SLC快閃記憶體保證「0」區有十萬次的抹寫能力，但其他區塊不保證)。
這個結果部分地被某些韌體或檔案系統為了在相異區塊間安排寫入操作而進行的計算寫入次數與動態重測所抵銷；
這種技巧稱為耗損平衡。另一種處理方法稱為壞區管理(Bad Block Management, BBM)。這種方法是在寫入時做驗證並進行動態重測，
如果有驗證失敗的區塊就加以剔除。 對多數行動裝置而言，這些磨損管理技術可以延長其內部快閃記憶體的壽命(甚至超出這些裝置的使用年限)。

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