MOS FET是IR的H8318,

http://www.irf.com/product-info/dat...irfh8318pbf.pdf

50A的能力, 這在業界以MOS FET而言算是BMW等級的東西.

原則上一個phase不會超過50A, 其他也沒有損毀, MOS FET炸了不一定是他的問題,
也有可能是電感, 當電感感值崩潰無感抗, 會呈電流最大通過狀態,
這時候會會把後面的MOS FET炸掉.

不管如何, 上面這兩樣東西加起來不到NTD 10, 瞬間弄死幾萬塊的M/B, CPU, DDR......