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這年頭，什麼都要環保減碳，連記憶體也來參一腳，市面上就標榜「低電壓」DDR3記憶體。以目前主流DDR3-1333或1600記憶體的標準電壓是1.5 V，這類「低電壓」DDR3記憶體可以不需這麼高電壓。

elixir M2X4G64CB8HG9N-DG是標準電壓的DDR3-1600記憶體，想要低電壓低功耗就只能手調。

花了幾天不斷嘗試，整理DDR3-1600、X.M.P DDR3-1600環境下的結果，總結
出這組記憶體可以只需電壓1.36 V穩跑，兩組工作時脈只更動CR值加快為1T。



標準的DDR3-1600工作時脈下，時序設定值11-11-11-28 1T，HWiNFO64軟體檢測記憶體電壓為1.356 V。



ADIA64 V2.00.1709 beta
記憶體讀取 - 18037MB/s
記憶體寫入 - 18967 MB/s
記憶體複製 - 20591 MB/s
記憶體潛伏 - 49.8ns












Sandra 2012 (18.10)
總體記憶體性能 - 21.1 GB/s



MaxxMEM² - PreView
Memory Copy - 20610 MB/s
Memory Read - 18902 MB/s
Memory Write - 17831 MB/s
Reached memory score - 18.37 GB/sec
Memory Latency - 59.3ns



X.M.P的DDR3-1600工作時脈下，時序設定值9-9-9-28 1T，HWiNFO64軟體檢測記憶體電壓為1.356 V。



ADIA64 V2.00.1709 beta
記憶體讀取 - 18936MB/s
記憶體寫入 - 19304 MB/s
記憶體複製 - 20935 MB/s
記憶體潛伏 - 45.5 ns












Sandra 2012 (18.10)
總體記憶體性能 - 21.47 GB/s



MaxxMEM² - PreView
Memory Copy - 21458 MB/s
Memory Read - 20171 MB/s
Memory Write - 18803 MB/s
Reached memory score - 19.49 GB/sec
Memory Latency - 53.2 ns



低電壓低功耗達成DDR3-1600、X.M.P DDR3-1600
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