很有實作味的改裝，現在很少看到這樣的硬體文了

個人提出一點小小的看法：
1.僅改裝MOSFET對增加輸出功率沒有很大幫助，因為一次側OPP是靠回授電阻回報給PWM IC目前電流值，所以一次側流過的電流到了OPP一樣會截止電源輸出，所以增大輸出瓦數得一起改回授電路(但主變壓器也得一起升級)，改MOSFET最大的好處在於降低交換損失減少廢熱，不過交換MOSFET時要注意控制器驅動能力，必要時要修改G極驅動電路，以免MOSFET因為驅動不良而有反效果
2.二次側SR MOSFET修改也是降低損失及增加效率，不過新巨這款SR並未使用獨立SR控制IC，而是靠變壓器二次繞組去驅動，SR效果與目前使用獨立SR IC的高效率機種有出入
3.二次側輸出電容增設方面，因為空間不夠而使用電線延長方式，會加重電容的ESR(等效串聯電阻)與ESL(等效串聯電感)，而使電容的損失增大，濾波效果變差，可以考慮換用低ESR/ESL的固態電容，並在底部增設低ESR與高頻特性佳的MLCC(積層陶質電容)，利用兩者搭配，會比單純增設傳統電容效果要佳，當然如果在線路輸出靠近插頭端增加並聯電容，也有不錯效果