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三星擴產 DRAM強彈稍息

【聯合晚報╱記者徐睦鈞/台北報導】
2011.09.22 02:38 pm

外電報導指出，全球最大記憶體公司三星電子 (Samsung)於美東時間21日晚間10點整發布新聞稿宣布，最新位於南韓京畿道華城市的NAND型快閃記憶體 (NAND Flash)廠房「Line-16」已開始運作。三星同時還宣布量產業界首款採用20奈米製程技術的DDR3 DRAM，這款DRAM可大幅提升系統效能並降低耗電量。

由於目前正值全球DRAM減產，以及NAND Flash價格回穩之際，三星的擴產動作，再度引發供過於求的疑慮，這波止跌強彈的DRAM股今天回檔，其中外資近日買超最多的指標股華亞科(3474)成砍殺標的，重挫摔落季線。

三星指出，Line-16的總投資額預計將達12兆韓圜 (104億美元)，已自9月份起開始量產高效能的20奈米製程NAND Flash ，預期月產量可望超過1萬片12吋晶圓。三星將視需求提升NAND Flash產能，同時也會自明 (2012)年起開始生產更為先進、採用10奈米製程技術的記憶體。

三星20奈米製程的2GB DDR3 DRAM效能將較30奈米製程提升50%，耗電量則可減少最多40%。三星計畫在今年底前開發出採20奈米製程技術的4GB DDR3 DRAM，並在明年將產品組合拓展至4GB、8GB、16GB與32GB的DDR3模組。

對於三星增產NAND Flash，國內模組業者表示，三星增產的部份是高容量產品，主要的需求應來自蘋果公司及三星內部的手機需求，對目前國內及大陸市場需求主要為4GB以下的中低容量影響有限，目前中低容量供不應求，惟三星以成本考量為由，新產能並不會增產中低容量產品，反而有助價格持穩。

至於DRAM部份，業者指出，三星的成本本來就比台灣業者低，此次宣布推出業界首款20奈米製程技術的DDR3 DRAM，等於又把競爭距離拉大，國內業者目前最先進製程技術仍以50 、40奈米為主，三星預計明年推出的20奈米製程產品，預料再掀價格戰，台灣業者短期內的競爭壓力仍大。



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